美(měi)國航天航空指定品牌，世界三大(dà)電容廠商，美(měi)國CDE電容器,它的(de)作用(yòng)如下(xià):
1:美(měi)國CDE吸收電容的(de)作用(yòng)
母線電感以及緩沖電路及其元件内部的(de)雜(zá)散電感，對(duì)IGBT 電路尤其是大(dà)功率IGBT 電路，有極大(dà)的(de)影(yǐng)響。因此，希望它愈小愈好。要減小這(zhè)些電感，需從多(duō)方面入手。第一，直流母線要盡量地短；第二，緩沖電路要盡可(kě)能地貼近模塊；第三，選用(yòng)低電感的(de)聚丙烯無極電容，與IGBT 相匹配的(de)快(kuài)速緩沖二極管，以及無感洩放電阻；第四，其它有效措施。目前，緩沖電路的(de)制作工藝也(yě)有多(duō)種方式：有用(yòng)分(fēn)立件連接的(de)；有通(tōng)過印制版連接的(de)；更有用(yòng)緩沖電容模塊直接安裝在IGBT 模塊上的(de)。顯然，最後一種方式因符合上述第二、第三種降感措施，因而緩沖效果最好，能最大(dà)限度地保護IGBT 安全運行，美(měi)國CDE吸收電容在這(zhè)方面是世界最早的(de)鼻祖，最專業的(de)。
2:CDE吸收電容的(de)結構特點
美(měi)國CDE吸收電容雙面金屬化(huà)膜内串結構、特别的(de)内部設計和(hé)端面噴金技術，使電容具低感抗，多(duō)條引線設計，可(kě)承受更高(gāo)紋波電流，高(gāo)du/dv以及高(gāo)過壓能力。用(yòng)于各類IGBT緩沖線路突波吸收，各類高(gāo)頻(pín)諧振線路。電容結構: 雙層金屬化(huà)膜，内部串聯結構，封裝: 阻燃塑膠外殼，環氧樹脂封裝，符合(UL94V-0 )标準，尺寸: 适合于各種IGBT保護。
3吸收電容的(de)技術參數
美(měi)國CDE電容量: 0.0047 to 6.8μF，額定電壓: 700 to 3000 Vdc損耗角正切:測試條件 1000±20 Hz ， 25±5℃.Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4 絕緣電阻: 3000s，s= MΩ. μF測試條件 1 minute，100Vdc (25±5℃)耐電壓: 2Ur (DC)測試條件 10s，t 25±5℃，1Min工作溫度: -40~+85℃
目前市場(chǎng)出現較多(duō)的(de)偷工減料的(de)吸收電容，好進行用(yòng)低價格吸引客戶，其實這(zhè)樣是不明(míng)智的(de)，因爲一個(gè)吸收電容的(de)價格和(hé)一個(gè)模塊的(de)價格，相差的(de)不是一點點，不能因小失大(dà)。
