在國家對(duì)電動汽車的(de)積極鼓勵及補貼扶持，電動汽車包括混動和(hé)純電動在國内增長(cháng)的(de)速度是以每年50%的(de)速度再增長(cháng)，而作爲電動汽車的(de)核心組件的(de)電池以及電池管理(lǐ)系統，市場(chǎng)需求也(yě)是日漸增長(cháng)，以下(xià)是就電池管理(lǐ)系統對(duì)存儲器的(de)需求進行分(fēn)析
電池充放電狀态的(de)預測和(hé)計算(suàn)（即SOC）、單體電池的(de)均衡管理(lǐ)，以及電池健康狀态日志記錄與診斷是電池管理(lǐ)系統（Battery Management System, 即BMS）主要實現三大(dà)核心功能
功能框圖如下(xià)：
電池荷電狀态的(de)預測和(hé)計算(suàn)（即SOC）是整個(gè)電池管理(lǐ)系統中最核心的(de)功能，隻有在有了(le)精确的(de)電池充電/放電狀态的(de)預測/計算(suàn)，電池管理(lǐ)系統才能進行有效均衡管理(lǐ)，所以對(duì)SOC精準度要求極高(gāo)。
在整個(gè)電池管理(lǐ)系統中，電池荷電狀态的(de)預測和(hé)計算(suàn)（即SOC）是其最重要的(de)功能，因爲有了(le)精确的(de)電池充電/放電狀态的(de)預測/計算(suàn)，才能進行有效均衡管理(lǐ)。因此對(duì)SOC精準度的(de)要求是越高(gāo)越好。
通(tōng)過采集電池的(de)電壓、電流參數，還(hái)需要提供諸如阻抗、溫度、環境溫度、充放電時(shí)間等多(duō)種參數來(lái)提高(gāo)SOC的(de)精準度，電池固有參數是可(kě)以通(tōng)過數學建模的(de)方式，建立軟件模型，而電池動态參數需要通(tōng)過數據采集卡對(duì)其實時(shí)的(de)采集數據，并實時(shí)地将采集到的(de)數據傳輸到MCU單元存儲，再由MCU對(duì)提取的(de)數據進行算(suàn)法計算(suàn)，從而算(suàn)出精準的(de)電池荷電狀态。
爲了(le)實現SOC功能的(de)更高(gāo)性能，需要将不同電池的(de)模型存入存儲器，而該存儲器需要具備低功耗，快(kuài)速讀寫，接口建檔及數據保持時(shí)間高(gāo)達20年以上的(de)要求，SOC功能需要采集卡不停地實時(shí)将采集的(de)電池電壓/電流數據存入存儲器，假如一個(gè)MCU單元，對(duì)接10路單體電池的(de)采集數據，采集數據卡一般會采用(yòng)1MB的(de)isoSPI總線進行通(tōng)信，即對(duì)于MCU單元的(de)存儲器，接口速率要求高(gāo)且幾乎每秒中都要進行一次數據寫操作；而電池的(de)壽命要求至少是10年，假如一台車運行時(shí)間是8小時(shí)，那麽MCU單元的(de)存儲器的(de)數據寫操作在電池包生命周期内的(de)寫次數爲1億5百萬次。
由此可(kě)以看出，BMS對(duì)SOC功能的(de)要求性非常關鍵，因此對(duì)存儲器的(de)性能及可(kě)靠性也(yě)是很嚴苛，必須是非易失性的(de)存儲器，擦寫次數至少要超過1.1億次，接口速率大(dà)于8MHz，低功耗且數據能夠可(kě)靠保存20年的(de)時(shí)間，需要符合AECQ-100，未來(lái)需要通(tōng)過功能安全認證，至少具有ASILB等級。
目前主流的(de)非易失性的(de)存儲器有EEPROM、 Flash 以及MRAM。EEPROM 的(de)接口有SPI接口，速率可(kě)以做(zuò)到10Mhz，但是每次寫都有一個(gè)5ms寫等待時(shí)間，擦寫次數是1百萬次，功耗中等，有車規級器件，但是目前未做(zuò)功能安全認證，數據保持能力也(yě)可(kě)以做(zuò)到20年。
Flash的(de)讀寫速度較慢(màn)，每次寫操作都必須進行擦寫，因此完成一次寫操作至少需要幾百毫秒的(de)時(shí)間，擦寫次數也(yě)隻能支持10萬次，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于1.1億次的(de)要求，數據保持能力在10年到20年之間。
MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的(de)磁性随機存儲器。它擁有靜态随機存儲器(SRAM)的(de)高(gāo)速讀取寫入能力，以及動态随機存儲器(DRAM)的(de)高(gāo)集成度，而且基本上可(kě)以無限次地重複寫入。
MRAM 是通(tōng)過磁性作爲存儲介質，其具有高(gāo)可(kě)靠性，數據保持時(shí)間爲100年，完全随機不需要寫等待的(de)高(gāo)讀寫效率，SPI接口速率最高(gāo)可(kě)以支持到50Mhz或108MHz QSPI，并且具有非常低的(de)功耗；擦寫次數可(kě)以高(gāo)達100億次。
MRAM作爲一款獨特的(de)非易失性存儲器，無論在寫入速度、耐久性還(hái)是在功耗與可(kě)靠性方面，都是目前實現高(gāo)可(kě)靠性BMS系統的(de)最佳存儲器選擇。
EverSpin作爲全球領先的(de)MRAM核心供應商，提供非常齊全的(de)磁性随機存儲器MRAM産品，容量由256Kb到256Mb，接口爲Serial/Parellel/Quad Serial/DDR3/DDR4接口，具有幾乎無限次的(de)讀寫次數（100億次讀寫周期），QSPI接口速率高(gāo)達108Mhz，不需要寫等待時(shí)間，工作電流低至0.6mA，是能夠承受
