本篇文章(zhāng)主要給大(dà)家講講MOS管驅動設計中的(de)一些“重要細節”，跟著(zhe)小編一起來(lái)看看吧！
有關MOSFET的(de)基本知識
很多(duō)電子工程師都認爲MOSFET是電壓驅動的(de)，不需要驅動電流。然而，在MOS的(de)G,S兩級之間有結電容存在，這(zhè)個(gè)電容會讓驅動MOS變的(de)不那麽簡單。
如果不考慮紋波和(hé)EMI等要求的(de)話(huà)，MOS管開關速度越快(kuài)越好，因爲開關時(shí)間越短，開關損耗越小，而在開關電源中開關損耗占總損耗的(de)很大(dà)一部分(fēn)，因此MOS管驅動電路的(de)好壞直接決定了(le)電源的(de)效率。
對(duì)于一個(gè)MOS管，如果把GS之間的(de)電壓從0拉到管子的(de)開啓電壓所用(yòng)的(de)時(shí)間越短，那麽MOS管開啓的(de)速度就會越快(kuài)。與此類似，如果把MOS管的(de)GS電壓從開啓電壓降到0V的(de)時(shí)間越短，那麽MOS管關斷的(de)速度也(yě)就越快(kuài)。
由此我們可(kě)以知道，如果想在更短的(de)時(shí)間内把GS電壓拉高(gāo)或者拉低，就要給MOS管栅極更大(dà)的(de)瞬間驅動電流。
大(dà)家常用(yòng)的(de)PWM芯片輸出直接驅動MOS或者用(yòng)三極管放大(dà)後再驅動MOS的(de)方法，其實在瞬間驅動電流這(zhè)塊是有很大(dà)缺陷的(de)。
比較好的(de)方法是使用(yòng)專用(yòng)的(de)MOSFET驅動芯片如TC4420來(lái)驅動MOS管，這(zhè)類的(de)芯片一般有很大(dà)的(de)瞬間輸出電流，而且還(hái)兼容TTL電平輸入。
MOSFET驅動芯片的(de)内部結構
MOS驅動電路設計需要注意的(de)地方
因爲驅動線路走線會有寄生電感，而寄生電感和(hé)MOS管的(de)結電容會組成一個(gè)LC振蕩電路，如果直接把驅動芯片的(de)輸出端接到MOS管栅極的(de)話(huà)，在PWM波的(de)上升下(xià)降沿會産生很大(dà)的(de)震蕩，導緻MOS管急劇發熱(rè)甚至爆炸，一般的(de)解決方法是在栅極串聯10歐左右的(de)電阻，降低LC振蕩電路的(de)Q值，使震蕩迅速衰減掉。
因爲MOS管栅極高(gāo)輸入阻抗的(de)特性，一點點靜電或者幹擾都可(kě)能導緻MOS管誤導通(tōng)，所以建議(yì)在MOS管G S之間并聯一個(gè)10K的(de)電阻以降低輸入阻抗。
如果擔心附近功率線路上的(de)幹擾耦合過來(lái)産生瞬間高(gāo)壓擊穿MOS管的(de)話(huà)，可(kě)以在GS之間再并聯一個(gè)18V左右的(de)TVS瞬态抑制二極管，TVS可(kě)以認爲是一個(gè)反應速度很快(kuài)的(de)穩壓管，其瞬間可(kě)以承受的(de)功率高(gāo)達幾百至上千瓦，可(kě)以用(yòng)來(lái)吸收瞬間的(de)幹擾脈沖。
MOS管驅動電路參考
MOS管驅動電路的(de)布線設計
MOS管驅動線路的(de)環路面積要盡可(kě)能小，否則可(kě)能會引入外來(lái)的(de)電磁幹擾。
驅動芯片的(de)旁路電容要盡量靠近驅動芯片的(de)VCC和(hé)GND引腳，否則走線的(de)電感會很大(dà)程度上影(yǐng)響芯片的(de)瞬間輸出電流。
