電容器主要特性參數：标稱電容量和(hé)允許偏差；标稱電容量是标志在電容器上的(de)電容量。
電容器實際電容量與标稱電容量的(de)偏差稱誤差,在允許的(de)偏差範圍稱精度。
精度等級與允許誤差對(duì)應關系：00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)
一般電容器常用(yòng)Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級,電解電容器用(yòng)Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級,根據用(yòng)途選齲
額定電壓
在最低環境溫度和(hé)額定環境溫度下(xià)可(kě)連續加在電容器的(de)最高(gāo)直流電壓有效值,一般直接标注在電容器外殼上,如果工作電壓超過電容器的(de)耐壓,電容器擊穿,造成不可(kě)修複的(de)永久損壞。
絕緣電阻
直流電壓加在電容上,并産生漏電電流,兩者之比稱爲絕緣電阻.
當電容較小時(shí),主要取決于電容的(de)表面狀态,容量〉0.1uf時(shí),主要取決于介質的(de)性能,絕緣電阻越小越好。
損耗
電容在電場(chǎng)作用(yòng)下(xià),在單位時(shí)間内因發熱(rè)所消耗的(de)能量叫做(zuò)損耗。各類電容都規定了(le)其在某頻(pín)率範圍内的(de)損耗允許值,電容的(de)損耗主要由介質損耗,電導損耗和(hé)電容所有金屬部分(fēn)的(de)電阻所引起的(de)。
電容的(de)時(shí)間常數：爲恰當的(de)評價大(dà)容量電容的(de)絕緣情況而引入了(le)時(shí)間常數,他(tā)等于電容的(de)絕緣電阻與容量的(de)乘積。
在直流電場(chǎng)的(de)作用(yòng)下(xià),電容器的(de)損耗以漏導損耗的(de)形式存在,一般較小,在交變電場(chǎng)的(de)作用(yòng)下(xià),電容的(de)損耗不僅與漏導有關,而且與周期性的(de)極化(huà)建立過程有關。
頻(pín)率特性
随著(zhe)頻(pín)率的(de)上升,一般電容器的(de)電容量呈現下(xià)降的(de)規律。
電容器是電子設備中常用(yòng)的(de)電子元件,下(xià)面對(duì)幾種常用(yòng)電容器的(de)結構和(hé)特點作以簡要介紹,以供大(dà)家參考。
1：薄膜電容器
結構與紙質電容器相似,但用(yòng)聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質頻(pín)率特性好,介電損耗小不能做(zuò)成大(dà)的(de)容量,耐熱(rè)能力差濾波器、積分(fēn)、振蕩、定時(shí)電路
2：鋁電解電容器
它是由鋁圓筒做(zuò)負極、裏面裝有液體電解質,插人(rén)一片彎曲的(de)鋁帶做(zuò)正極制成。還(hái)需經直流電壓處理(lǐ),做(zuò)正極的(de)片上形成一層氧化(huà)膜做(zuò)介質。其特點是容量大(dà)、但是漏電大(dà)、穩定性差、有正負極性,适于電源濾波或低頻(pín)電路中,使用(yòng)時(shí),正、負極不要接反。
3：獨石電容器
多(duō)層陶瓷電容器)在若幹片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料,疊合後一次繞結成一塊不可(kě)分(fēn)割的(de)整體,外面再用(yòng)樹脂包封而成小體積、大(dà)容量、高(gāo)可(kě)*和(hé)耐高(gāo)溫的(de)新型電容器,高(gāo)介電常數的(de)低頻(pín)獨石電容器也(yě)具有穩定的(de)性能,體積極小,Q值高(gāo)容量誤差較大(dà)噪聲旁路、濾波器、積分(fēn)、振蕩電路。
4：瓷介電容器
穿心式或支柱式結構瓷介電容器,它的(de)一個(gè)電極就是安裝螺絲。引線電感極小,頻(pín)率特性好,介電損耗小,有溫度補償作用(yòng)不能做(zuò)成大(dà)的(de)容量,受振動會引起容量變化(huà)特别适于高(gāo)頻(pín)旁路。
5：微調電容器
電容量可(kě)在某一小範圍内調整,并可(kě)在調整後固定于某個(gè)電容值。瓷介微調電容器的(de)Q值高(gāo),體積也(yě)小,通(tōng)常可(kě)分(fēn)爲圓管式及圓片式兩種。
6：紙質電容器
一般是用(yòng)兩條鋁箔作爲電極,中間以厚度爲0.008～0.012mm的(de)電容器紙隔開重疊卷繞而成。制造工藝簡單,價格便宜,能得(de)到較大(dà)的(de)電容量;一般在低頻(pín)電路内,通(tōng)常不能在高(gāo)于3～4MHz的(de)頻(pín)率上運用(yòng)。油浸電容器的(de)耐壓比普通(tōng)紙質電容器高(gāo),穩定性也(yě)好,适用(yòng)于高(gāo)壓電路
7：陶瓷電容器
用(yòng)高(gāo)介電常數的(de)電容器陶瓷〈钛酸鋇一氧化(huà)钛〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作爲介質,并用(yòng)燒滲法将銀鍍在陶瓷上作爲電極制成。它又分(fēn)高(gāo)頻(pín)瓷介和(hé)低頻(pín)瓷介兩種。
8：雲母和(hé)聚苯乙烯電容
雲母和(hé)聚苯乙烯介質的(de)通(tōng)常都采用(yòng)彈簧式東,結構簡單,但穩定性較差。
線繞瓷介微調電容器是拆銅絲〈外電極〉來(lái)變動電容量的(de),故容量隻能變小,不适合在需反複調試的(de)場(chǎng)合使用(yòng)。
