爲什(shén)麽要在晶閘管兩端并聯阻容網絡,阻容吸收電容的(de)計算(suàn)：
A、整流晶閘管(可(kě)控矽)阻容吸收元件的(de)選擇
電容的(de)選擇
C=(2.5-5)×10 的(de)負8 次方×If
If=0.367Id
Id-直流電流值，如果整流側采用(yòng)500A 的(de)晶閘管(可(kě)控矽)，可(kě)以計算(suàn)C=(2.5-5)×10 的(de)負8 次方×500=1.25-2.5mF，選用(yòng)2.5mF，1kv 的(de)電容器
電阻的(de)選擇：
R=((2-4) ×535)If=2.14-8.56，選擇10 歐
PR=(1.5×(pfv×2πfc)的(de)平方×10 的(de)負12 次方×R)2
Pfv=2u(1.5-2.0)
u=三相電壓的(de)有效值
阻容吸收回路在實際應用(yòng)中，RC 的(de)時(shí)間常數一般情況下(xià)取1~10 毫秒。小功率負載通(tōng)常取2 毫秒左右，R=220 歐姆1W，C=0.01 微法400~630V。大(dà)功率負載通(tōng)常取10 毫秒，R=10 歐姆10W，C=1 微法630~1000V。
R 的(de)選取：小功率選金屬膜或RX21 線繞或水(shuǐ)泥電阻；大(dà)功率選RX21 線繞或水(shuǐ)泥電阻。
C 的(de)選取：VDTCAP品牌FK或者FJ 系列相應耐壓的(de)無極性電容器。
B:在實際晶閘管電路中，常在其兩端并聯RC 串聯網絡，該網絡常稱爲RC 阻容吸收電路。
我們知道，晶閘管有一個(gè)重要特性參數－斷态電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明(míng)晶閘管在額定結溫和(hé)門極斷路條件下(xià)，使晶閘管從斷态轉入通(tōng)态的(de)最低電壓上升率。若電壓上升率過大(dà)，超過了(le)晶閘管的(de)電壓上升率的(de)值，則會在無門極信号的(de)情況下(xià)開通(tōng)。即使此時(shí)加于晶閘管的(de)正向電壓低于其陽極峰值電壓，也(yě)可(kě)能發生這(zhè)種情況。因爲晶閘管可(kě)以看作是由三個(gè)PN 結組成。在晶閘管處于阻斷狀态下(xià)，因各層相距很近，其J2 結結面相當于一個(gè)電容C0。當晶閘管陽極電壓變化(huà)時(shí)，便會有充電電流流過電容C0，并通(tōng)過J3 結，這(zhè)個(gè)電流起了(le)門極觸發電
流作用(yòng)。如果晶閘管在關斷時(shí)，陽極電壓上升速度太快(kuài)，則C0 的(de)充電電流越大(dà)，就有可(kě)能造成門極在沒有觸發信号的(de)情況下(xià)，晶閘管誤導通(tōng)現象，即常說的(de)硬開通(tōng)，這(zhè)是不允許的(de)。因此，對(duì)加到晶閘管上的(de)陽極電壓上升率應有一定的(de)限制。爲了(le)限制電路電壓上升率過大(dà)，确保晶閘管安全運行，常在晶閘管兩端并聯RC 阻容吸收網絡，利用(yòng)電容兩端電壓不能突變的(de)特性來(lái)限制電壓上升率。因爲電路總是存在電感的(de)(變壓器漏感或負載電感)，所以與電容C 串聯電阻R 可(kě)起阻尼作用(yòng)，它可(kě)以防止R、L、C 電路在過渡過程中，因振蕩在電容器兩端出現的(de)過電壓損壞晶閘管。同時(shí)，避免電容器通(tōng)過晶閘管放電電流過大(dà)，造成過電流而損壞晶閘管。由于晶閘管過流過壓能力很差，如果不采取可(kě)靠的(de)保護措施是不能正常工作的(de)。RC 阻容吸收網絡就是常用(yòng)的(de)保護方法之一。
看保護對(duì)象來(lái)區(qū)分(fēn)：接觸器線圈的(de)阻尼吸收和(hé)小于10A 電流的(de)可(kě)控矽的(de)阻尼吸收列入小功率範疇；接觸器觸點和(hé)大(dà)于10A 以上的(de)可(kě)控矽的(de)阻尼吸收列入大(dà)功率範疇。
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